产品描述：
热阻抗参数是衡量半导体功率器件可靠性的一个基本参量，是确定器件最大允许耗散功率和确定安全工作区的重要物理参数。该参量对于半导体功率器件的设计、制造和使用尤为重要。
BJ2989系列热阻抗测试系统是依据国家标准、国家军用标准，最新开发的一系列热阻抗测试系统。可测试晶体三极管、场效应晶体管等各种类型半导体器件的热阻抗参数，填补了国内在固体继电器热阻抗测试方面的空白。
该系统采用计算机自动控制，测试数据自动运算处理，为用户提供友好直观的操作界面，动态显示热阻抗参数曲线及与热阻抗参数有关的温度曲线，为用户提供全面详尽的热阻抗参数。系统具有测试范围广，加热功率大，性能稳定，测试适应性强等特点，是半导体功率器件热阻抗参数检验与应用测试的理想设备。系统已被多所科研院校和军、民品器件生产企业所采用。
技术参数：
1、加热功率
最大加热电流：20A
最高漏极电压：300V
2、加热电压源（集电极电压源或漏极电压源）
电压范围 负载能力
0—300V 可定制
3、加热电流源IH
电流量程 分辨力 精度 备注
-250mA~+250mA
±(250mA~2.5 A)
±(2.5A~20A) 122uA
1.22mA
12.2mA ±(610uA+2%set)
±(6.1mA+2%set)
±(61mA+2%set)
4、测量电流源IM
电流量程 分辨力 精度 备注
-25mA~+25mA
±(25mA~250mA) 12.2uA
122uA ±(61uA+0.5%set)
±(610uA+0.5%set)
5、VS电压表（或VE电压表）
电压量程 分辨力 精度 备注
±(0~1.25)V
±(0~2.5)V
±(0~5)V
±(0~10)V 0.61mV
1.22mV
2.44mV
4.88mV ±(2.44mV+0.25%Rdg)
±(4.88mV+0.25%Rdg)
±(9.76mV+0.25%Rdg)
±(19.52mV+0.25%Rdg)
6、VD电压表（或VC电压表）
低压档
电压量程 分辨力 精度 备注
-312.5~312.5mV
±(312.5~625)mV
±(0.625~1.25)V
±(1.25~2.5)V
±(2.5~5)V
±(5~10)V
10~12V 152.5uV
305uV
0.61mV
1.22mV
2.44mV
4.88mV
9.76mV ±(762.5uV+0.1%Rdg)
±(0.61mV+0.1%Rdg)
±(1.22mV+0.1%Rdg)
±(2.44mV+0.1%Rdg)
±(4.88mV+0.1%Rdg)
±(9.76mV+0.1%Rdg)
±(19.52mV+0.1%Rdg)
高压档
电压量程 分辨力 精度 备注
±(12~16.25) V 7.93mV ±(15.86mV+0.25%Rdg)
±(16.25~32.5) V 15.86mV ±(31.72mV+0.25%Rdg)
±(32.5~65) V 31.72mV ±(63.44mV+0.25%Rdg)
±(65~130) V 63.44mV ±(126.88mV+0.25%Rdg)
±(130~260) V 0.127V ±(0.254V+0.25%Rdg)
±(260~300) V 0.254V ±(0.508V+0.25%Rdg)
7、加热脉冲宽度
脉宽：1ms 2ms 5ms 10ms 20ms 50ms 100ms 200ms 500ms
1s 2s 5s 10s 20s 50s 100s 200s 500s 1000s 2000s 5000s
8、参考点温度测量
测量范围：10℃~100℃ 精度：±0.5℃
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