产品描述：
仪器主要测量参数
测试中小功率半导体三极管开关参数,
功率由100mW至1W的NPN或PNP型晶体管。
Td延迟时间
tr被测晶体管上升时间
ton晶体管开启时间
ts存贮时间
tf被测晶体管下降时间
toff晶体管下降时间
技术参数：
测量范围：由5nS至500 nS.
测量条件:
1) Ib1=Ib2=1mA, Ic=10 mA .
2) Ib1=Ib2=3mA, Ic=300 mA .
3) Ib1=Ib2=10mA, Ic=100 mA.
4) Ib1=Ib2=30mA, Ic=300 mA.
5) Ib1=Ib2=50mA, Ic=500 mA.
脉冲宽度:0.7-2.5uS .
±脉冲前沿:≤2nS.
±脉冲幅度: ±10V±0.5V .
仪器组成及技术指标：
1)脉冲信号源 ： 频率20K
2)取样示波器 ： 带宽: 1000MHz .
扫速: 20nS/cm . 50nS/cm . 100nS/cm . 200nS/cm .
3)CRT显示输入/输出波形 计算机显示测量参数及测量结果
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