北京中仪 提供少子寿命测试仪使用方法,满足你不同地点的使用需求。
·该仪器参考美国 A.S.T.M 标准而设计的用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命
·测试单晶电阻率范围: >0.3Ω.cm
·可测单晶少子寿命范围: 1μS~10000μS
·配备光源类型:红外光源,波长:1.09μm
·余辉<1 μS;闪光频率为:20~30次/秒
·前置放大器:放大倍数约25
·测量方式:采用对标准曲线读数方式
作为国产的代理商,北京中仪 以其优良的品质和服务为您提供最优惠的产品价格。
显示类型 | 数字电路、高频光电导衰减法 |
使用行业范围 | 集成电路级硅单晶在内的各种类型硅单晶,以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等 |
测试材料 | 集成电路级硅单晶、经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒 |
寿命范围 | 1μS~10000μS |
电阻率范围 | ρ>0.3Ω.cm |
备注 | 1.配备光源类型:红外光源,波长:1.09μm;余辉小于1 μS;2.闪光频率为:20~30次/秒;3.前置放大器:放大倍数约25;4.测量方式:采用对标准曲线读数方式 |