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特点和优势：
无设置
自配置测试设置允许待测设备（DUT）进行任意负载。然后自动检测DUT的极性、功能和方向。测试前不需要找到正确的针脚接入。
可存取结果
通过或未通过LED指示器迅速显示出测试结果状态。背光LCD显示器显示出观察到的测量情况：参数数据、设备类型、设备分类以及每个针的功能或极性。
检测电流泄漏
灵敏电流测量能检测出具有泄漏问题的损坏或退化设备。
多用途操作
多个测试插座和测试插座适配器，为绝大多数型号的穿孔和SMD组件测试提供支持。
恒定电流吸收或电流偏置
在用于稳压器输出负载的恒定电流吸吸收、用于测量双极管或齐纳双极管电压的电流偏置之间进行切换。
指尖测试激活
具有指尖测试激活按钮的3点探测设备，能够进行快速、便捷的内电路PCB测试。
可编程电压源
1,099伏特可编程电压源，用于击穿电压和泄漏电流测试。
包括22种测试常规类型。
— 双极晶体管 (Iceo、Ices、Icbo、Bvceo、Bvces、BVcbo)
— MOSFET(Idss、Igss和BVdss)
— 二极管 (Ir、BVr、Vf)
— 齐纳二极管 (Vz、Iz)
— 晶闸管 (Idrm、BVdrm)
— J-FET (Idss、Igss)
— 光隔离器 (Iceo)
— 稳压器 (+/- Vo，+/- I load)
— 电流泄露*
* - 测量任意两端之间的电压和电流，电压最高达1,099V，电流范围低至“nA”。该设备用于测试瞬态电压抑制器的钳位电压(Vbr)，测量设备的输入阻抗(根据欧姆法则 R=V/I)，或检测两点之间的泄漏电流(I leak)。
功能测试中的驱动条件
恒定电源
DUT输出级阈值级
二极管正向电压 (Vf) 测量 最低Vf > 0.1 V，正向电流，50 ma ~ 1,000 ma Zener二极管击穿电压 (Vz) 0.1V ~ 30V，偏置电流，3 ma ~ 80 ma 稳压器输出电压 (+/- Vo) 0.2 V ~ 26.0 V，输出负载电流，50 ma~ 1.0 AMP | 泄漏电流测量参数 双极 / MOSFET晶体管：Ices，Iceo，Icbo，& Idss 二极管：Ir 晶闸管(SCR/TRIAC)：Idrm
MOSFET和J-FET泄漏电流测量 MOSFET：Igss J-FET：Idss，Igss
击穿电压测量参数 双极/MOSFET晶体管：Bvceo、Bvces、Bvcbo和VBdss 二极管：BVr THYRISTOR：BVdrm
高压电源 最大输出电压：1,099 V 最大输出瓦特：3 W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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