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| 德国哈迈HAMEG半导体图示仪HM6042详细介绍 |
半导体图示仪HM6042性能特点
德国哈迈HAMEG 半导体图示仪HM6042介绍
| 详细介绍 |
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操作简易
半导体元件特性测试
准确的游标对照
快速容易地供元件比对
参考资料记忆
5轨迹屏幕显示
低耗电量
德国哈迈HAMEG 半导体图示仪HM6042技术参数 |
| 功能描述 |
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| 测试范围 |
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| 三个电压档 |
Collector/Drain 电压≤2V，10V，40V±5 |
| 三个电流档 |
Collector/Drain 电流≤2mA，20mA，200mA±5 |
| 三个功率档 |
功率≤0.04W, 0.4W, 4W±10% |
| Base/Gate电压及电流 |
Ib 1μA～10μAVb 至2V±5%Vg 至10V±5% |
| 精确度（静止精度） |
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| Vc/d |
±(2% o.v.+3 位) |
| Ic/d |
±(2% o.v.+3 位) |
| Ib |
±(2% o.v.+3 位) |
| Vb |
±(2% o.v.+3 位) |
| Vg |
±(3% o.v.+3 位 |
| β至1000 |
±(5% o.v.+3 位) |
| β至100000 |
±[(6+0.001×β)% o.v.+3位] |
| 精确度（动态精度） |
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| h11 |
≤1000Ω±(12%o.v.+3位)≥1000Ω±[(12+0.001meas.value)%o.v.+3位) |
| h21 |
≤1000±(12%o.v.+3位)≥1000±[(12+0.001meas.value)% o.v.+3位) |
| y21 |
≤1000mS±(12% o.v.+3位) |
| h/y22 |
≤1000mS±(12% o.v.+3位) |
| 杂项功能 |
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| 参考测试值可储存 |
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| 游标测试功能 |
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| 单一模式 |
计算测试点的值 |
| 跟踪模式 |
两个游标定位后h/y数据测试计算 |
| 可以适用的元件 |
Diodes,Zener DiodesNPN/PNP-TransistorsFET/ |
| 显示器 |
2×16-Digit, LCD配合CRT，5曲线测试结果 |
| 持有证书 |
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CE |
| 其它 |
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屏幕 CRT6寸，8×10格 加速电压2KV 扫迹调校，在面板设置
电源 100-240VCA±10%50/60Hz
功耗 36WATT
工作温差 0OC～40OC
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